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產(chǎn)品[

Panasonic松下HG-C1100,HG-C1200,HG-C1400

]資料
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產(chǎn)品型號:
產(chǎn)品展商: 日本松下
關(guān)注指數(shù):493
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簡單介紹

Panasonic松下HG-C1100,HG-C1200,HG-C1400 搭載CMOS,高精度&小尺寸兼顧 繼承HG-C1000搭載高精度CMOS及小尺寸的特性,在此基礎(chǔ)上追加微晶石檢測專用方式,實現(xiàn)光澤表面的精準(zhǔn)檢測 Panasonic松下HG-C1100,HG-C1200,HG-C1400

Panasonic松下HG-C1100,HG-C1200,HG-C1400

   的詳細(xì)介紹

Panasonic松下HG-C1100,HG-C1200,HG-C1400




搭載CMOS,高精度&小尺寸兼顧

繼承HG-C1000搭載高精度CMOS及小尺寸的特性,在此基礎(chǔ)上追加微晶石檢測專用方式,實現(xiàn)光澤表面的精準(zhǔn)檢測。



雙重模擬輸出可切換

配備模擬電流4mA~20mA輸出,模擬電壓0V~5V輸出,兩種輸出方式可切換,用戶按需選擇。(默認(rèn):模擬電流輸出)
種類 測量中心距離200mm型 測量中心距離400mm型

NPN
輸出
HG-C1200 HG-C1400
PNP
輸出
HG-C1200-P HG-C1400-P
符合規(guī)則 EMC適合指令、FDA規(guī)則
測量中心距離 200mm 400mm
測量范圍 ±80mm ±200mm
重復(fù)精度 200μm 300μm(測量距離200~400mm)
800μm(測量距離400~600mm)
直線性 ±0.2%F.S. ±0.2%F.S.(測量距離200~400mm)
±0.3%F.S.(測量距離400~600mm)
溫度特性 0.03% F.S./℃
光源 紅色半導(dǎo)體激光 2級[JIS/IEC/GB/FDA(注2)]
*大輸出:1mW、投光波峰波長:655nm
光束直徑
(注3)
約?300μm 約?500μm
電源電壓 12~24V DC±10% 脈動P-P10%以下
消耗電流(注4) 40mA以下(電源電壓24V DC時)、65mA以下(電源電壓12V DC時)
控制輸出 <NPN輸出型>
NPN開路集電極晶體管
? *大流入電流:50mA
?外加電壓:30V DC以下(控制輸出-0V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下

<PNP輸出型>
PNP開路集電極晶體管
? *大流入電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下
  輸出動作 入光時ON/非入光時ON 可切換
短路保護(hù) 配備(自動恢復(fù))
模擬輸出 模擬電壓輸出 ?輸出范圍:0~5V(報警時:+5.2V)
?輸出阻抗:100Ω
模擬電流輸出(注5) ?輸出范圍:4~20mA(報警時:0mA)
?輸出阻抗:300Ω
反應(yīng)時間 1.5ms/5ms/10ms 可切換
外部輸入 〈NPN輸出型〉
NPN無接點輸入
?輸入條件
無效:+8~+V DC或開路
有效:0~+1.2V DC
?輸入阻抗:約10kΩ

<PNP輸出型>
PNP無接點輸入
?輸入條件
無效:0~+0.6V DC或開路
有效:+4~+V DC
? 輸入阻抗:約10kΩ
污損度 2
使用標(biāo)高 2,000m以下

環(huán)

保護(hù)構(gòu)造 IP67(IEC)
使用環(huán)境
溫度
-10~+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、儲存時:-20~+60℃
使用環(huán)境
濕度
35%RH~85%RH、儲存時:35%RH~85%RH
使用環(huán)境
照度
白熾燈:受光面照度3,000 lx以下
耐振動 耐久10~55Hz(周期1分鐘)  雙振幅1.5mm  XYZ各方向2小時
耐沖擊 耐久500m/s2(約50G)  XYZ各方向3次
電纜 0.2mm2 5芯復(fù)合電纜,長2m
延長電纜 0.3mm2以上電纜 *多延長至全長10m
材質(zhì) 本體外殼:壓鑄鋁 前罩:丙烯基
重量 本體重量:約35g(不含電纜),約85g(含電纜)
(注1): 未指定測量條件時,使用條件如下:電源電壓:24V DC 環(huán)境溫度:+20℃ 響應(yīng)時間:10ms、測量中心距離的模擬輸出值。對象物體:白色陶瓷。
(注2): 根據(jù)FDA規(guī)則中Laser Notice No.50規(guī)定,并以FDA為準(zhǔn)。
(注3): 測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區(qū)域外有漏光,并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射,測定結(jié)果可能會受到影響。
(注4): 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。
2016年5月前生產(chǎn)的產(chǎn)品: 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)
(注5): 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始追加了模擬電流輸出功能。
種類 測量中心距離30mm型 測量中心距離50mm型 測量中心距離100mm型

NPN
輸出
HG-C1030 HG-C1050 HG-C1100
PNP
輸出
HG-C1030-P HG-C1050-P HG-C1100-P
符合規(guī)則 EMC適合指令、FDA規(guī)則
測量中心距離 30mm 50mm 100mm
測量范圍 ±5mm ±15mm ±35mm
重復(fù)精度 10μm 30μm 70μm
直線性 ±0.1% F.S.
溫度特性 0.03% F.S./℃
光源 紅色半導(dǎo)體激光 2級(JIS/IEC/GB)/Ⅱ級(FDA)(注2)
*大輸出:1mW、投光波峰波長:655nm
光束直徑
(注3)
約?50μm 約?70μm 約?120μm
電源電壓 12~24V DC±10% 脈動P-P10%以下
消耗電流(注4) 40mA以下(電源電壓24V DC時)65mA以下(電源電壓12V DC時)
控制輸出   〈NPN輸出型〉
NPN開路集電極晶體管
? *大流入電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-0V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下

〈PNP輸出型〉
PNP開路集電極晶體管
? *大源電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下
輸出動作 入光時ON/非入光時ON 可切換
短路保護(hù) 配備(自動恢復(fù))
模擬輸出 模擬電壓輸出 ?輸出范圍:0~5V(報警時:+5.2V)
?輸出阻抗:100Ω
模擬電流輸出(注5) ?輸出范圍:4~20mA(報警時:0mA)
?輸出阻抗:300Ω
反應(yīng)時間 1.5ms/5ms/10ms 可切換
外部輸入 〈NPN輸出型〉
NPN無接點輸入
?輸入條件
無效:+8~+V DC或開路
有效:0~+1.2V DC
?輸入阻抗:約10kΩ

<PNP輸出型>
PNP無接點輸入
?輸入條件
無效:0~+0.6V DC或開路
有效:+4~+V DC
? 輸入阻抗:約10kΩ
污損度 2
使用標(biāo)高 2,000m以下
耐環(huán)境性 保護(hù)構(gòu)造 IP67(IEC)
使用環(huán)境
溫度
-10~+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、存儲時20~+60℃
使用環(huán)境
濕度
35%RH~85%RH,存儲時:35%RH~85%RH
使用環(huán)境
照度
白熾燈:受光面照度3,000 lx以下
電纜 0.2mm2 5芯復(fù)合電纜,長2m
材質(zhì) 本體外殼:壓鑄鋁 前罩:丙烯基
重量 本體重量:約35g(不含電纜),約85g(含電纜)
(注1): 未指定測量條件時,使用條件如下:電源電壓:24V DC 環(huán)境溫度:+20℃ 響應(yīng)時間:10ms、測量中心距離的模擬輸出值。對象物體:白色陶瓷。
(注2): 根據(jù)FDA規(guī)則中Laser Notice No.50規(guī)定,并以FDA為準(zhǔn)。
(注3): 測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區(qū)域外有漏光,并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射,測定結(jié)果可能會受到影響。
(注4): 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。
2016年5月前生產(chǎn)的產(chǎn)品: 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)
(注5): 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始追加了模擬電流輸出功能。
種類 測量中心距離50mm型

NPN
輸出
HG-C1050L
PNP
輸出
HG-C1050L-P
測量中心距離 50mm
測量范圍 ±4mm
重復(fù)精度 20μm
直線性 ±0.3% F.S.
溫度特性 0.03% F.S./℃
光源 紅色半導(dǎo)體激光 1級(JIS/IEC/GB)
*大輸出:0.2mW、發(fā)光光束波長:655nm
光束直徑
(注2)
約?150μm
受光元件 CMOS圖形傳感器
電源電壓 12V~24V DC±10% 脈動P-P10%
消耗電流 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)
控制輸出   〈NPN輸出型〉
NPN開路集電極晶體管
? *大流入電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出和0V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA下)
? 漏電流:0.1mA以下

〈PNP輸出型〉
PNP開路集電極晶體管
? *大源電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出和+V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA下)
? 漏電流:0.1mA以下
輸出動作 入光時ON/非入光時ON 可切換
短路保護(hù) 配備(自動恢復(fù))
模擬輸出 電壓 ?輸出范圍:0V~5V(報警時:+5.2V)
?輸出阻抗:100Ω
電流 ?輸出范圍:4mA~20mA(報警時:0mA)
?負(fù)載阻抗:300Ω*大
反應(yīng)時間 1.5ms/5ms/10ms 可切換
外部輸入 〈NPN輸出型〉
NPN無接點輸入
?輸入條件
無效:+8V~+V DC或者開放
有效:0V~+1.2V DC
?輸入阻抗:約10kΩ

<PNP輸出型>
PNP無接點輸入
?輸入條件
無效:0V~+0.6V DC或者開放
有效:+4~+V DC
? 輸入阻抗:約10kΩ
保護(hù)構(gòu)造 IP67(IEC)
污染度 2
使用環(huán)境溫度 -10℃~+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、存儲時:-20℃~+60℃
使用環(huán)境濕度 35%RH~85%RH、存儲時:35%RH~85%RH
使用環(huán)境照度 白熾燈:受光面照度3,000 lx以下
使用標(biāo)高 2,000m以下
電纜 0.2mm2 5芯復(fù)合電纜長2m
材質(zhì) 本體外殼:鋁鑄件 前面蓋板:丙烯基
重量 約35g(不含電纜)、約85g(含電纜)
適用規(guī)格 符合EMC指令
(注1): 未指定測量條件時,使用條件如下:電源電壓:24V DC、環(huán)境溫度:+20℃、反應(yīng)時間:10ms、測量中心 距離的模擬輸出值。對象物體:白色陶瓷。
(注2): 該值為測量中心距離上的值。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義這些值。如果定義區(qū)域外有漏光,并且 檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射,檢測結(jié)果可能會受到影響。
(注3): 測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區(qū)域外有漏光,并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射,測定結(jié)果可能會受到影響。



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