產(chǎn)品[
Panasonic松下HG-C1100,HG-C1200,HG-C1400
]資料
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產(chǎn)品名稱:
Panasonic松下HG-C1100,HG-C1200,HG-C1400
產(chǎn)品型號:
產(chǎn)品展商:
日本松下
關(guān)注指數(shù):493
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Panasonic松下HG-C1100,HG-C1200,HG-C1400 搭載CMOS,高精度&小尺寸兼顧
繼承HG-C1000搭載高精度CMOS及小尺寸的特性,在此基礎(chǔ)上追加微晶石檢測專用方式,實現(xiàn)光澤表面的精準(zhǔn)檢測 Panasonic松下HG-C1100,HG-C1200,HG-C1400
Panasonic松下HG-C1100,HG-C1200,HG-C1400
的詳細(xì)介紹
Panasonic松下HG-C1100,HG-C1200,HG-C1400
搭載CMOS,高精度&小尺寸兼顧
繼承HG-C1000搭載高精度CMOS及小尺寸的特性,在此基礎(chǔ)上追加微晶石檢測專用方式,實現(xiàn)光澤表面的精準(zhǔn)檢測。
雙重模擬輸出可切換
配備模擬電流4mA~20mA輸出,模擬電壓0V~5V輸出,兩種輸出方式可切換,用戶按需選擇。(默認(rèn):模擬電流輸出)
種類
|
測量中心距離200mm型
|
測量中心距離400mm型
|
型
號
|
NPN
輸出
|
HG-C1200
|
HG-C1400
|
PNP
輸出
|
HG-C1200-P
|
HG-C1400-P
|
符合規(guī)則
|
EMC適合指令、FDA規(guī)則
|
測量中心距離
|
200mm
|
400mm
|
測量范圍
|
±80mm
|
±200mm
|
重復(fù)精度
|
200μm
|
300μm(測量距離200~400mm)
800μm(測量距離400~600mm)
|
直線性
|
±0.2%F.S.
|
±0.2%F.S.(測量距離200~400mm)
±0.3%F.S.(測量距離400~600mm)
|
溫度特性
|
0.03% F.S./℃
|
光源
|
紅色半導(dǎo)體激光 2級[JIS/IEC/GB/FDA(注2)]
*大輸出:1mW、投光波峰波長:655nm
|
光束直徑
(注3)
|
約?300μm
|
約?500μm
|
電源電壓
|
12~24V DC±10% 脈動P-P10%以下
|
消耗電流(注4)
|
40mA以下(電源電壓24V DC時)、65mA以下(電源電壓12V DC時)
|
控制輸出
|
<NPN輸出型>
NPN開路集電極晶體管
? *大流入電流:50mA
?外加電壓:30V DC以下(控制輸出-0V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下
<PNP輸出型>
PNP開路集電極晶體管
? *大流入電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下
|
|
輸出動作
|
入光時ON/非入光時ON 可切換
|
短路保護(hù)
|
配備(自動恢復(fù))
|
模擬輸出
|
模擬電壓輸出
|
?輸出范圍:0~5V(報警時:+5.2V)
?輸出阻抗:100Ω
|
模擬電流輸出(注5)
|
?輸出范圍:4~20mA(報警時:0mA)
?輸出阻抗:300Ω
|
反應(yīng)時間
|
1.5ms/5ms/10ms 可切換
|
外部輸入
|
〈NPN輸出型〉
NPN無接點輸入
?輸入條件
無效:+8~+V DC或開路
有效:0~+1.2V DC
?輸入阻抗:約10kΩ
<PNP輸出型>
PNP無接點輸入
?輸入條件
無效:0~+0.6V DC或開路
有效:+4~+V DC
? 輸入阻抗:約10kΩ
|
污損度
|
2
|
使用標(biāo)高
|
2,000m以下
|
耐
環(huán)
境
性
|
保護(hù)構(gòu)造
|
IP67(IEC)
|
使用環(huán)境
溫度
|
-10~+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、儲存時:-20~+60℃
|
使用環(huán)境
濕度
|
35%RH~85%RH、儲存時:35%RH~85%RH
|
使用環(huán)境
照度
|
白熾燈:受光面照度3,000 lx以下
|
耐振動
|
耐久10~55Hz(周期1分鐘) 雙振幅1.5mm XYZ各方向2小時
|
耐沖擊
|
耐久500m/s2(約50G) XYZ各方向3次
|
電纜
|
0.2mm2 5芯復(fù)合電纜,長2m
|
延長電纜
|
0.3mm2以上電纜 *多延長至全長10m
|
材質(zhì)
|
本體外殼:壓鑄鋁 前罩:丙烯基
|
重量
|
本體重量:約35g(不含電纜),約85g(含電纜)
|
(注1):
|
未指定測量條件時,使用條件如下:電源電壓:24V DC 環(huán)境溫度:+20℃ 響應(yīng)時間:10ms、測量中心距離的模擬輸出值。對象物體:白色陶瓷。
|
(注2):
|
根據(jù)FDA規(guī)則中Laser Notice No.50規(guī)定,并以FDA為準(zhǔn)。
|
(注3):
|
測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區(qū)域外有漏光,并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射,測定結(jié)果可能會受到影響。
|
(注4):
|
從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。
2016年5月前生產(chǎn)的產(chǎn)品: 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)
|
(注5):
|
從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始追加了模擬電流輸出功能。
|
種類
|
測量中心距離30mm型
|
測量中心距離50mm型
|
測量中心距離100mm型
|
型
號
|
NPN
輸出
|
HG-C1030
|
HG-C1050
|
HG-C1100
|
PNP
輸出
|
HG-C1030-P
|
HG-C1050-P
|
HG-C1100-P
|
符合規(guī)則
|
EMC適合指令、FDA規(guī)則
|
測量中心距離
|
30mm
|
50mm
|
100mm
|
測量范圍
|
±5mm
|
±15mm
|
±35mm
|
重復(fù)精度
|
10μm
|
30μm
|
70μm
|
直線性
|
±0.1% F.S.
|
溫度特性
|
0.03% F.S./℃
|
光源
|
紅色半導(dǎo)體激光 2級(JIS/IEC/GB)/Ⅱ級(FDA)(注2)
*大輸出:1mW、投光波峰波長:655nm
|
光束直徑
(注3)
|
約?50μm
|
約?70μm
|
約?120μm
|
電源電壓
|
12~24V DC±10% 脈動P-P10%以下
|
消耗電流(注4)
|
40mA以下(電源電壓24V DC時)65mA以下(電源電壓12V DC時)
|
控制輸出
|
|
〈NPN輸出型〉
NPN開路集電極晶體管
? *大流入電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-0V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下
〈PNP輸出型〉
PNP開路集電極晶體管
? *大源電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下
|
輸出動作
|
入光時ON/非入光時ON 可切換
|
短路保護(hù)
|
配備(自動恢復(fù))
|
模擬輸出
|
模擬電壓輸出
|
?輸出范圍:0~5V(報警時:+5.2V)
?輸出阻抗:100Ω
|
模擬電流輸出(注5)
|
?輸出范圍:4~20mA(報警時:0mA)
?輸出阻抗:300Ω
|
反應(yīng)時間
|
1.5ms/5ms/10ms 可切換
|
外部輸入
|
〈NPN輸出型〉
NPN無接點輸入
?輸入條件
無效:+8~+V DC或開路
有效:0~+1.2V DC
?輸入阻抗:約10kΩ
<PNP輸出型>
PNP無接點輸入
?輸入條件
無效:0~+0.6V DC或開路
有效:+4~+V DC
? 輸入阻抗:約10kΩ
|
污損度
|
2
|
使用標(biāo)高
|
2,000m以下
|
耐環(huán)境性
|
保護(hù)構(gòu)造
|
IP67(IEC)
|
使用環(huán)境
溫度
|
-10~+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、存儲時20~+60℃
|
使用環(huán)境
濕度
|
35%RH~85%RH,存儲時:35%RH~85%RH
|
使用環(huán)境
照度
|
白熾燈:受光面照度3,000 lx以下
|
電纜
|
0.2mm2 5芯復(fù)合電纜,長2m
|
材質(zhì)
|
本體外殼:壓鑄鋁 前罩:丙烯基
|
重量
|
本體重量:約35g(不含電纜),約85g(含電纜)
|
(注1):
|
未指定測量條件時,使用條件如下:電源電壓:24V DC 環(huán)境溫度:+20℃ 響應(yīng)時間:10ms、測量中心距離的模擬輸出值。對象物體:白色陶瓷。
|
(注2):
|
根據(jù)FDA規(guī)則中Laser Notice No.50規(guī)定,并以FDA為準(zhǔn)。
|
(注3):
|
測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區(qū)域外有漏光,并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射,測定結(jié)果可能會受到影響。
|
(注4):
|
從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。
2016年5月前生產(chǎn)的產(chǎn)品: 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)
|
(注5):
|
從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始追加了模擬電流輸出功能。
|
種類
|
測量中心距離50mm型
|
型
號
|
NPN
輸出
|
HG-C1050L
|
PNP
輸出
|
HG-C1050L-P
|
測量中心距離
|
50mm
|
測量范圍
|
±4mm
|
重復(fù)精度
|
20μm
|
直線性
|
±0.3% F.S.
|
溫度特性
|
0.03% F.S./℃
|
光源
|
紅色半導(dǎo)體激光 1級(JIS/IEC/GB)
*大輸出:0.2mW、發(fā)光光束波長:655nm
|
光束直徑
(注2)
|
約?150μm
|
受光元件
|
CMOS圖形傳感器
|
電源電壓
|
12V~24V DC±10% 脈動P-P10%
|
消耗電流
|
40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)
|
控制輸出
|
|
〈NPN輸出型〉
NPN開路集電極晶體管
? *大流入電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出和0V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA下)
? 漏電流:0.1mA以下
〈PNP輸出型〉
PNP開路集電極晶體管
? *大源電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出和+V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA下)
? 漏電流:0.1mA以下
|
輸出動作
|
入光時ON/非入光時ON 可切換
|
短路保護(hù)
|
配備(自動恢復(fù))
|
模擬輸出
|
電壓
|
?輸出范圍:0V~5V(報警時:+5.2V)
?輸出阻抗:100Ω
|
電流
|
?輸出范圍:4mA~20mA(報警時:0mA)
?負(fù)載阻抗:300Ω*大
|
反應(yīng)時間
|
1.5ms/5ms/10ms 可切換
|
外部輸入
|
〈NPN輸出型〉
NPN無接點輸入
?輸入條件
無效:+8V~+V DC或者開放
有效:0V~+1.2V DC
?輸入阻抗:約10kΩ
<PNP輸出型>
PNP無接點輸入
?輸入條件
無效:0V~+0.6V DC或者開放
有效:+4~+V DC
? 輸入阻抗:約10kΩ
|
保護(hù)構(gòu)造
|
IP67(IEC)
|
污染度
|
2
|
使用環(huán)境溫度
|
-10℃~+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、存儲時:-20℃~+60℃
|
使用環(huán)境濕度
|
35%RH~85%RH、存儲時:35%RH~85%RH
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使用環(huán)境照度
|
白熾燈:受光面照度3,000 lx以下
|
使用標(biāo)高
|
2,000m以下
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電纜
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0.2mm2 5芯復(fù)合電纜長2m
|
材質(zhì)
|
本體外殼:鋁鑄件 前面蓋板:丙烯基
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重量
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約35g(不含電纜)、約85g(含電纜)
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適用規(guī)格
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符合EMC指令
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(注1):
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未指定測量條件時,使用條件如下:電源電壓:24V DC、環(huán)境溫度:+20℃、反應(yīng)時間:10ms、測量中心 距離的模擬輸出值。對象物體:白色陶瓷。
|
(注2):
|
該值為測量中心距離上的值。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義這些值。如果定義區(qū)域外有漏光,并且 檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射,檢測結(jié)果可能會受到影響。
|
(注3):
|
測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區(qū)域外有漏光,并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射,測定結(jié)果可能會受到影響。
|